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421475RQ1E070RPTR-Bild.LAPIS Semiconductor

RQ1E070RPTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RQ1E070RPTR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RQ1E070RPTR.pdf
    2.RQ1E070RPTR.pdf
    3.RQ1E070RPTR.pdf
    4.RQ1E070RPTR.pdf
    5.RQ1E070RPTR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    550mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SMD, Flat Lead
  • Andere Namen
    RQ1E070RPCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A (Ta)

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Das Folgende sind "RQ1E070RPTR" -Einziper.
IXFL70N60Q2

IXFL70N60Q2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS6680S

FDS6680S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
STW30NM60D

STW30NM60D

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BUK6Y15-40PX

BUK6Y15-40PX

Beschreibung: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RQ1E100XNTR

RQ1E100XNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.76A 3DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NTR4501NT1

NTR4501NT1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTA90N055T2

IXTA90N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK9Y6R0-60E,115

BUK9Y6R0-60E,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AOTF10N50FD_001

AOTF10N50FD_001

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N7002WKX-13

2N7002WKX-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
STB100NH02LT4

STB100NH02LT4

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
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