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1598080GPA801DT-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

GPA801DT-TP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPA801DT-TP
  • Hersteller / Marke
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP 8A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GPA801DT-TP.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 8A Surface Mount D2PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "GPA801DT-TP" -Einziper.
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Beschreibung: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA803 C0G

GPA803 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804 C0G

GPA804 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Beschreibung: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Hersteller: Bergquist
vorrätig
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA803-BP

GPA803-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA803HC0G

GPA803HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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