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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > GPA040A120L-FD

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337680

GPA040A120L-FD-Bild.

Global Power Technologies Group

GPA040A120L-FD

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Spezifikation

Artikelnummer

GPA040A120L-FD
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 1200V 80A 480W TO264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GPA040A120L-FD.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A
Testbedingung

600V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

55ns/200ns
Schaltenergie

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

200ns
Leistung - max

480W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen

1560-1222-1
1560-1222-1-ND
1560-1222-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
Gate-Ladung

480nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 480W Through Hole TO-264
Strom - Collector Pulsed (Icm)

120A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

80A

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Das Folgende sind "GPA040A120L-FD" -Einziper.

GPA801DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Beschreibung: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA801HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA802DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Beschreibung: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Hersteller: Bergquist

vorrätig

GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Beschreibung: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A120I-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA042A100L-ND

Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA802HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA801-BP

GPA801-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA801 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA040A120L-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA802 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA802-BP

GPA802-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

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