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Halle C5 Stand 220
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Das Folgende sind "GPA2000-0.010-02-0816 " -Einziper.
Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO264
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: IGBT 600V 120A 347W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1200V 80A 455W TO264
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO247
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig