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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > GPA060A060MN-FD

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4690036

GPA060A060MN-FD-Bild.

Global Power Technologies Group

GPA060A060MN-FD

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$2.66

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GPA060A060MN-FD
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 600V 120A 347W TO3PN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GPA060A060MN-FD.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Testbedingung

400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

45ns/150ns
Schaltenergie

2.66mJ (on), 1.53mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PN
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

140ns
Leistung - max

347W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3
Andere Namen

1560-1226-1
1560-1226-1-ND
1560-1226-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
Gate-Ladung

225nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600V 120A 347W Through Hole TO-3PN
Strom - Collector Pulsed (Icm)

180A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

120A

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Das Folgende sind "GPA060A060MN-FD" -Einziper.

GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Beschreibung: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Hersteller: Bergquist

vorrätig

GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Beschreibung: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA801HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA801-BP

GPA801-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA802 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA042A100L-ND

Beschreibung: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA040A120L-ND

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA801 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA803 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

GPA802-BP

GPA802-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA040A120L-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A120I-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GPA802DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA801DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

GPA802HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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