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MT47H256M8THN-25E:H

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  • Artikelnummer
    MT47H256M8THN-25E:H
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MT47H256M8THN-25E:H.pdf
    2.MT47H256M8THN-25E:H.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    63-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 63-FBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H256M8
  • Zugriffszeit
    400ps

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Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8THN-3:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H32M16BN-3 IT:D TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8THN-25E:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H256M8EB-3:C TR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47H256M8THN-25E IT:H

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

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MT47H256M8EB-3:C

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MT47H256M8EB-25E XIT:C

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