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MT47H64M8SH-187E:H TR

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  • Artikelnummer
    MT47H64M8SH-187E:H TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H64M8SH-187E:H TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT47H64M8SH-187E:H TR-ND
    MT47H64M8SH-187E:HTR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 533MHz 350ps
  • Uhrfrequenz
    533MHz
  • Zugriffszeit
    350ps

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Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E:G

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8SH-25E IT:H

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E IT:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47R256M4CF-25E:H

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MT47R256M4CF-3:H

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MT47H64M8SH-25E AAT:H

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