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MT47H64M8SH-25E IT:H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H64M8SH-25E IT:H
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT47H64M8SH-25E IT:H.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    MT47H64M8SH-25E IT:H-ND
    MT47H64M8SH-25EIT:H
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Basisteilenummer
    MT47H64M8
  • Zugriffszeit
    400ps

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Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E AIT:H

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E AAT:H

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT47R64M16HR-25:H

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT47R512M4EB-25E:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47H64M8SH-187E:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

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MT47H64M8SH-25E:H

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