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MT47H64M8SH-25E AAT:H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT47H64M8SH-25E AAT:H
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT47H64M8SH-25E AAT:H-ND
    MT47H64M8SH-25EAAT:H
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    512Mb (64M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
  • Uhrfrequenz
    400MHz
  • Zugriffszeit
    400ps
MT47R128M8CF-25:H

MT47R128M8CF-25:H

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT47R256M4CF-3:H

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8CF-25E:G

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8JN-25E IT:G

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MT47H64M8SH-187E:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

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MT47H64M8CF-25E IT:G TR

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MT47R128M8CF-3:H

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MT47R256M4CF-25E:H

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MT47H64M8JN-25E:G

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MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

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MT47H64M8SH-25E:H

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MT47H64M8CF-25E IT:G

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MT47H64M8SH-25E AIT:H

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MT47H64M8CF-25E:G TR

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MT47H64M8CF-25E L:G TR

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MT47H64M8SH-25E IT:H

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MT47R256M8EB-25E:C

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47R512M4EB-25E:C

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