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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5614
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21046271N5614-Bild.Microsemi

1N5614

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$5.906
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$3.922
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$3.308
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5614
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5614.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    A, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N5614" -Einziper.
1N5554C.TR

1N5554C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5558

1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5555

1N5555

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5611

1N5611

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615GPHE3/54

1N5615GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5557

1N5557

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5613

1N5613

Beschreibung: TVS DIODE C-BODY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5614GP-E3/73

1N5614GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5556

1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615GP-E3/73

1N5615GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5614GPHE3/54

1N5614GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5615US

1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5616

1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615

1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5614US

1N5614US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5554US

1N5554US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5610

1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5615GP-E3/54

1N5615GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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