Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5614US
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
50289481N5614US-Bild.Microsemi

1N5614US

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$8.58
10+
$7.725
100+
$6.352
500+
$5.322
1000+
$4.635
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5614US
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-5A
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SQ-MELF, A
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
1N5614

1N5614

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5558

1N5558

Beschreibung: TVS DIODE 175V 265V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5610

1N5610

Beschreibung: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5616US

1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5615GP-E3/54

1N5615GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5557

1N5557

Beschreibung: TVS DIODE 49V 78.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5616

1N5616

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5611

1N5611

Beschreibung: TVS DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5616C.TR

1N5616C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5613

1N5613

Beschreibung: TVS DIODE C-BODY

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5615GP-E3/73

1N5615GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
1N5615

1N5615

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GP-E3/73

1N5614GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5615GPHE3/54

1N5615GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5615US

1N5615US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GP-E3/54

1N5614GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N5617

1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N5614GPHE3/54

1N5614GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N5556

1N5556

Beschreibung: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden