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APT11F80S-Bild.

Microsemi

APT11F80S

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Spezifikation

Artikelnummer

APT11F80S
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT11F80S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D3Pak
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

337W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2471pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "APT11F80S" -Einziper.

APT12031JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1204R7BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1201R4BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12057B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT11GP60BDQBG

Beschreibung: IGBT 600V 41A 187W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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