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Halle C5 Stand 220

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6206375APT10SCD120K-Bild.Microsemi

APT10SCD120K

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10+
$9.759
25+
$8.892
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$8.025
250+
$7.374
500+
$6.723
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT10SCD120K
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "APT10SCD120K" -Einziper.
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Beschreibung: IGBT 600V 41A 187W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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