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APT11N80BC3G-Bild.

Microsemi

APT11N80BC3G

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Spezifikation

Artikelnummer

APT11N80BC3G
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT11N80BC3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 680µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 7.1A, 10V
Verlustleistung (max)

156W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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Das Folgende sind "APT11N80BC3G" -Einziper.

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12057B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12031JFLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12057LFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD120BCT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12057B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT1204R7BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12057JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1201R4BFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT11GP60BDQBG

Beschreibung: IGBT 600V 41A 187W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT12067B2FLLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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