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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > APT10SCD120BCT
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862369APT10SCD120BCT-Bild.Microsemi

APT10SCD120BCT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT10SCD120BCT
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT10SCD120BCT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.8V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    36A (DC)

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Das Folgende sind "APT10SCD120BCT" -Einziper.
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Beschreibung: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Beschreibung: IGBT 600V 183A 780W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Beschreibung: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Beschreibung: IGBT 600V 41A 187W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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