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APT14M100B-Bild.

Microsemi

APT14M100B

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vorrätig

90+

$8.537

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT14M100B
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT14M100B.pdf
2.APT14M100B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

500W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3965pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A (Tc)

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Das Folgende sind "APT14M100B" -Einziper.

APT130SM70B

APT130SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT13F120S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT13GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT14F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT130SM70J

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V SOT227

Hersteller: Microsemi

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APT14050JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Hersteller: Microsemi

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APT13F120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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