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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > APT15D100BG
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2065716APT15D100BG-Bild.Microsemi

APT15D100BG

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30+
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120+
$2.701
510+
$2.187
1020+
$1.844
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT15D100BG
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT15D100BG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.3V @ 15A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    260ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    26 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 15A Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    15A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    APT15D100

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APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D60BCTG

APT15D60BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D60BCAG

APT15D60BCAG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 14A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D40KG

APT15D40KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
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