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2552781APT150GN60LDQ4G-Bild.Microsemi

APT150GN60LDQ4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT150GN60LDQ4G
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 220A 536W TO-264L
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT150GN60LDQ4G.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Testbedingung
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    44ns/430ns
  • Schaltenergie
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264 [L]
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    536W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    970nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    450A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    220A

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APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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APT15D100BG

APT15D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

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APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

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