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3882775APT150GT120JR-Bild.Microsemi

APT150GT120JR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT150GT120JR
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 1200V 170A 830W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT150GT120JR.pdf
    2.APT150GT120JR.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 150A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    Thunderbolt IGBT®
  • Leistung - max
    830W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT150GT120JRMI
    APT150GT120JRMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    9.3nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    NPT
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module NPT Single 1200V 170A 830W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    150µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    170A
  • Konfiguration
    Single

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Das Folgende sind "APT150GT120JR" -Einziper.
APT15D100BG

APT15D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D40KG

APT15D40KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220-2

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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