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2564450APT150GN60J-Bild.Microsemi

APT150GN60J

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vorrätig
20+
$27.55
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT150GN60J
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT150GN60J.pdf
    2.APT150GN60J.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Supplier Device-Gehäuse
    ISOTOP®
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    536W
  • Verpackung / Gehäuse
    ISOTOP
  • Andere Namen
    APT150GN60JMI
    APT150GN60JMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    No
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    9.2nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 220A 536W Chassis Mount ISOTOP®
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    25µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    220A
  • Konfiguration
    Single

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Das Folgende sind "APT150GN60J" -Einziper.
APT14M120B

APT14M120B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BG

APT15D100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Beschreibung: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Beschreibung: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Beschreibung: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Beschreibung: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Hersteller: Microsemi
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