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4338082APT34M120J-Bild.Microsemi

APT34M120J

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10+
$52.061
30+
$48.807
100+
$46.529
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT34M120J
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT34M120J.pdf
    2.APT34M120J.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    960W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Andere Namen
    APT34M120JMI
    APT34M120JMI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    18200pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 1200V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    35A (Tc)

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Das Folgende sind "APT34M120J" -Einziper.
APT34M60B

APT34M60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33GF120BRG

APT33GF120BRG

Beschreibung: IGBT 1200V 52A 297W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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