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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > APT35DL120HJ
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6426122APT35DL120HJ-Bild.Microsemi

APT35DL120HJ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT35DL120HJ
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 1.2KV SOT227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT35DL120HJ.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1.2kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.1V @ 35A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    35A

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Zahlung
Das Folgende sind "APT35DL120HJ" -Einziper.
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F60BG

APT34F60BG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34M60B

APT34M60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F60B

APT34F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F100B2

APT34F100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34M120J

APT34M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT34F100L

APT34F100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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