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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > APT35GN120BG

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APT35GN120BG-Bild.

Microsemi

APT35GN120BG

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Spezifikation

Artikelnummer

APT35GN120BG
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IGBT 1200V 94A 379W TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT35GN120BG.pdf
2.APT35GN120BG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A
Testbedingung

800V, 35A, 2.2 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

24ns/300ns
Schaltenergie

2.315mJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247 [B]
Serie

-
Leistung - max

379W
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

APT35GN120BGMI
APT35GN120BGMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop
Gate-Ladung

220nC
detaillierte Beschreibung

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B]
Strom - Collector Pulsed (Icm)

105A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

94A

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Das Folgende sind "APT35GN120BG" -Einziper.

APT34F60BG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT36GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35SM70S

APT35SM70S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34N80LC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34F60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35DL120HJ

Beschreibung: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34M60B

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34N80B2C3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35SM70B

APT35SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34M120J

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT34F100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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