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APT35SM70B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT35SM70B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 700V TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Technologie
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 10A, 20V
  • Verlustleistung (max)
    176W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1035pF @ 700V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    700V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    35A (Tc)
APT38F50J

APT38F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37M100L

APT37M100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37F50S

APT37F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GA90B

APT35GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37M100B2

APT37M100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36GA60B

APT36GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37F50B

APT37F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT38F80B2

APT38F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Beschreibung: IGBT 900V 63A 290W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35SM70S

APT35SM70S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120J

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Beschreibung: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
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