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APT39M60J-Bild.

Microsemi

APT39M60J

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vorrätig

20+

$26.852

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT39M60J
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT39M60J.pdf
2.APT39M60J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ISOTOP®
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)

480W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

23 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 42A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

42A (Tc)

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Das Folgende sind "APT39M60J" -Einziper.

APT37F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DC60HJ

Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DC120HJ

Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4065BNG

APT4065BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4012BVRG

APT4012BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DQ100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4016BVRG

APT4016BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT37M100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT4012BVR

APT4012BVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT39F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT40DQ120BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT37M100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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