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1014146APT38N60BC6-Bild.Microsemi

APT38N60BC6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT38N60BC6
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247 [B]
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 18A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    278W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2826pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    112nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    38A (Tc)
APT40DC60HJ

APT40DC60HJ

Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT39M60J

APT39M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37F50S

APT37F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT38F80B2

APT38F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT4065BNG

APT4065BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37M100L

APT37M100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37F50B

APT37F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT39F60J

APT39F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT37M100B2

APT37M100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT40DQ100BCTG

APT40DQ100BCTG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT38F80L

APT38F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT40DC120HJ

APT40DC120HJ

Beschreibung: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT38F50J

APT38F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT4016BVRG

APT4016BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247

Hersteller: Microsemi
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APT38M50J

APT38M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
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APT4012BVR

APT4012BVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

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