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2165307

APT37F50S-Bild.

Microsemi

APT37F50S

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Spezifikation

Artikelnummer

APT37F50S
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT37F50S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D3Pak
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

520W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

21 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 37A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount D3Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

37A (Tc)

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Das Folgende sind "APT37F50S" -Einziper.

APT38F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35SM70S

APT35SM70S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT37M100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35SM70B

APT35SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120J

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT36GA60BD15

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38F80B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT37F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT37M100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GP120JDQ2

Beschreibung: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT39M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT36N90BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GT120JU2

Beschreibung: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT35GT120JU3

Beschreibung: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT39F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT36GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT38F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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