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4953954APT38F80B2-Bild.Microsemi

APT38F80B2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT38F80B2
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.APT38F80B2.pdf
    2.APT38F80B2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1040W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Andere Namen
    APT38F80B2MI
    APT38F80B2MI-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8070pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    41A (Tc)

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Das Folgende sind "APT38F80B2" -Einziper.
APT37F50S

APT37F50S

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT39M60J

APT39M60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Beschreibung: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4012BVR

APT4012BVR

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT39F60J

APT39F60J

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT4065BNG

APT4065BNG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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APT4016BVRG

APT4016BVRG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V TO-247

Hersteller: Microsemi
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