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670462

APT66M60L-Bild.

Microsemi

APT66M60L

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50+

$19.704

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

APT66M60L
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

APT66M60L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-264 [L]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 33A, 10V
Verlustleistung (max)

1135W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

70A (Tc)

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Das Folgende sind "APT66M60L" -Einziper.

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT64GA90B2D30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT60S20SG/TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Hersteller: Microsemi Corporation

vorrätig

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT68GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT68GA60B2D40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT68GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT64GA90B

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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