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4293917APT68GA60B2D40-Bild.Microsemi

APT68GA60B2D40

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT68GA60B2D40
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT 600V 121A 520W TO-247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    APT68GA60B2D40.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    600V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Testbedingung
    400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    21ns/133ns
  • Schaltenergie
    715µJ (on), 607µJ (off)
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Leistung - max
    520W
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3 Variant
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    29 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    PT
  • Gate-Ladung
    198nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    202A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    121A

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Das Folgende sind "APT68GA60B2D40" -Einziper.
APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120L

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Beschreibung: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
APT70GR65B

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi
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