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4860502APT75DL120HJ-Bild.Microsemi

APT75DL120HJ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    APT75DL120HJ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOD DIODE 1200V SOT-227
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1.2kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.1V @ 75A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-227
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    250µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    75A
APT70GR65B

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70SM70J

APT70SM70J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Beschreibung: MOD DIODE 1700V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50L

APT75F50L

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75F50B2

APT75F50B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70SM70S

APT70SM70S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70GR120J

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Beschreibung: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70GR120L

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Beschreibung: MOD DIODE 600V SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Hersteller: Microsemi
vorrätig
APT75GN120J

APT75GN120J

Beschreibung: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Hersteller: Microsemi
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