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Zuhause > Produkte > Isolatoren > Isolatoren-Gate Drivers > SID1132KQ

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SID1132KQ-Bild.

Power Integrations

SID1132KQ

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$5.084

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Spezifikation

Artikelnummer

SID1132KQ
Hersteller / Marke

Power Integrations
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SID1132KQ.pdf
Spannungsversorgung

4.75 V ~ 5.25 V
Spannung - Isolation

5000Vrms
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-
Technologie

Magnetic Coupling
Supplier Device-Gehäuse

eSOP-R16B
Serie

Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
Aufstieg / Fallzeit (Typ)

450ns, 450ns
Pulsbreite Verzerrung (Max)

-
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)

340ns, 330ns
Verpackung / Gehäuse

16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Andere Namen

1810-1097
Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C
Anzahl der Kanäle

1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

2.5A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
Strom - Spitzenausgang

2.5A
Strom - hoch, niedrig

1.2A, 1.3A
Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)

50kV/µs (Typ)
Zulassungen

-

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Das Folgende sind "SID1132KQ" -Einziper.

SID1132K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1183K

Beschreibung: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1183K-TL

Beschreibung: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1182K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1102K

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1152K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1182K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SID1112K

SID1112K

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1152K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1112K-TL

SID1112K-TL

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SID1132K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1132KQ-TL

Beschreibung: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SID1182KQ

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

SID1102K-TL

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

SID1182KQ-TL

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations

vorrätig

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