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QJD1210010

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    QJD1210010
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.QJD1210010.pdf
    2.QJD1210010.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 10mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 100A, 20V
  • Leistung - max
    1080W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10200pF @ 800V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    500nC @ 20V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)

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Das Folgende sind "QJD1210010" -Einziper.
BUK7K89-100EX

BUK7K89-100EX

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AON6946

AON6946

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
MTMC8E280LBF

MTMC8E280LBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
IRF7328PBF

IRF7328PBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF7756GTRPBF

IRF7756GTRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
QJD1210011

QJD1210011

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
VHM40-06P1

VHM40-06P1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDW2501NZ

FDW2501NZ

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
QJD1210SA1

QJD1210SA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
QJD1210SA2

QJD1210SA2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
ECH8667-TL-HX

ECH8667-TL-HX

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G

Beschreibung: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI6966DQ-T1-GE3

SI6966DQ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
QJD1210SB1

QJD1210SB1

Beschreibung: MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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