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QJD1210SA2

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    QJD1210SA2
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.QJD1210SA2.pdf
    2.QJD1210SA2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.6V @ 34mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 15V
  • Leistung - max
    415W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8200pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    330nC @ 15V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A

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Das Folgende sind "QJD1210SA2" -Einziper.
NDC7001C

NDC7001C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ALD210802SCL

ALD210802SCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
FDMD8900

FDMD8900

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V POWER

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTHD2102PT1

NTHD2102PT1

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BSS84V-7

BSS84V-7

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
QJD1210SA1

QJD1210SA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13

Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFH4257DTRPBF

IRFH4257DTRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
QJD1210SB1

QJD1210SB1

Beschreibung: MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
PMCM650CUNEZ

PMCM650CUNEZ

Beschreibung: PMCM650CUNE NAX000 NONE

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH EFCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GWM160-0055X1-SL

GWM160-0055X1-SL

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
EMH2409-TL-H

EMH2409-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
QJD1210011

QJD1210011

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
QJD1210010

QJD1210010

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
ECH8653-S-TL-H

ECH8653-S-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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