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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > QJD1210SB1
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QJD1210SB1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    QJD1210SB1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Serie
    *
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array
QJD1210SA2

QJD1210SA2

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
EM6K7T2R

EM6K7T2R

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
QJD1210011

QJD1210011

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
NTMD2C02R2

NTMD2C02R2

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
GWM160-0055X1-SMDSAM

GWM160-0055X1-SMDSAM

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
IRF7104PBF

IRF7104PBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
QJD1210010

QJD1210010

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
BSO200N03

BSO200N03

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
QJD1210SA1

QJD1210SA1

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
IRF5810TR

IRF5810TR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
DMC3016LDV-13

DMC3016LDV-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
FDMS7602S

FDMS7602S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
AON2812

AON2812

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
UPA2385T1P-E1-A

UPA2385T1P-E1-A

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
AOD609

AOD609

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig

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