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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > R6030435ESYA

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R6030435ESYA

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vorrätig

30+

$53.487

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

R6030435ESYA
Hersteller / Marke

Powerex, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6030435ESYA.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 800A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

400V
Supplier Device-Gehäuse

DO-205AB, DO-9
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

2µs
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

DO-205AB, DO-9, Stud
Betriebstemperatur - Anschluss

-45°C ~ 150°C
Befestigungsart

Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 400V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

50mA @ 400V
Strom - Richt (Io)

350A
Kapazität @ Vr, F

-

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Das Folgende sind "R6030435ESYA" -Einziper.

R6025FNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030222PSYA

R6030222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6025FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030425HSYA

R6030425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6025ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6024KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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