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R6030835ESYA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6030835ESYA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -45°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    350A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030ENX

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030KNX

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030MNX

R6030MNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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