Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > R6030822PSYA

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2683376

R6030822PSYA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

30+

$75.30

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

R6030822PSYA
Hersteller / Marke

Powerex, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6030822PSYA.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2.75V @ 800A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

800V
Supplier Device-Gehäuse

DO-205AB, DO-9
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

500ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

DO-205AB, DO-9, Stud
Betriebstemperatur - Anschluss

-45°C ~ 150°C
Befestigungsart

Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 800V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

50mA @ 800V
Strom - Richt (Io)

220A
Kapazität @ Vr, F

-

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "R6030822PSYA" -Einziper.

R6030435ESYA

R6030435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030235ESYA

R6030235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030425HSYA

R6030425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6025FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNXC7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030MNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030222PSYA

R6030222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030225HSYA

R6030225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.