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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6030ENZ1C9

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R6030ENZ1C9-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

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Spezifikation

Artikelnummer

R6030ENZ1C9
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6030ENZ1C9.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

30A (Tc)

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Das Folgende sind "R6030ENZ1C9" -Einziper.

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030822PSYA

R6030822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030825HSYA

R6030825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030422PSYA

R6030422PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNXC7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030635ESYA

R6030635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030625HSYA

R6030625HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030MNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6030622PSYA

R6030622PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030435ESYA

R6030435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6030425HSYA

R6030425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

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