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5357762GPA805HC0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

GPA805HC0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPA805HC0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GPA805HC0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "GPA805HC0G" -Einziper.
GPA803DT-TP

GPA803DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807 C0G

GPA807 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804-BP

GPA804-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA803-BP

GPA803-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804 C0G

GPA804 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA807HC0G

GPA807HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA806-BP

GPA806-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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GPA803HC0G

GPA803HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GPA807-BP

GPA807-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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