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GPAS1002 MNG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPAS1002 MNG
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GPAS1002 MNG.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263AB (D²PAK)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    GPAS1002 MNG-ND
    GPAS1002MNG
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    10A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "GPAS1002 MNG" -Einziper.
GPA806-BP

GPA806-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPAS1006 MNG

GPAS1006 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807-BP

GPA807-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1003 MNG

GPAS1003 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA805HC0G

GPA805HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPAS1004 MNG

GPAS1004 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA807HC0G

GPA807HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPAS1007 MNG

GPAS1007 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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GPA806HC0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

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GPA807 C0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

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GPA805 C0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

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GPAS1005 MNG

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