Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > GPA807HC0G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1102224GPA807HC0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

GPA807HC0G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
4000+
$0.268
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPA807HC0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 8A TO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GPA807HC0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "GPA807HC0G" -Einziper.
GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1004 MNG

GPAS1004 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA805HC0G

GPA805HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1007 MNG

GPAS1007 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA805-BP

GPA805-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807-BP

GPA807-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1003 MNG

GPAS1003 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPA806-BP

GPA806-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
GPA807 C0G

GPA807 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1006 MNG

GPAS1006 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GPAS1005 MNG

GPAS1005 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.