Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > GPA807-BP
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1086221

GPA807-BP

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    GPA807-BP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GPP 8A TO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1kV
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1kV 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz
GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA807 C0G

GPA807 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA804HC0G

GPA804HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPAS1004 MNG

GPAS1004 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA805HC0G

GPA805HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA805DT-TP

GPA805DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPAS1007 MNG

GPAS1007 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA805-BP

GPA805-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPAS1001 MNG

GPAS1001 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPAS1003 MNG

GPAS1003 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA805 C0G

GPA805 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA807DT-TP

GPA807DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA804DT-TP

GPA804DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA806DT-TP

GPA806DT-TP

Beschreibung: DIODE GPP 8A D2PAK

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPAS1005 MNG

GPAS1005 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA806 C0G

GPA806 C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPAS1006 MNG

GPAS1006 MNG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA806HC0G

GPA806HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
GPA806-BP

GPA806-BP

Beschreibung: DIODE GPP 8A TO220AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
GPA807HC0G

GPA807HC0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden