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473442S1J R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1J R3G

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5400+
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45000+
$0.042
90000+
$0.039
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1J R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1J R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    S1J R3GTR
    S1J R3GTR-ND
    S1JR3GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz

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S1J

S1J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1JB-13-F

S1JB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1J M2G

S1J M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JBHR5G

S1JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/5AT

S1JA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JBHM4G

S1JBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1J-13-F

S1J-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1J-M3/5AT

S1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 600V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1J-LTP

S1J-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S1JB R5G

S1JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1J-M3/61T

S1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1J-13

S1J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1JB M4G

S1JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1J-E3/61T

S1J-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JBTR

S1JBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1JB-13

S1JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1J-E3/5AT

S1J-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1J-E3/51T

S1J-E3/51T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1JA-E3/61T

S1JA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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S1JFL

S1JFL

Beschreibung: DIODE GP 600V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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