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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S4M V6G
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2596089S4M V6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4M V6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S4M V6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 4A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S4M V6G.pdf
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S4M V6G-ND
    S4MV6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    4A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S4M V6G" -Einziper.
CDBER0140R

CDBER0140R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0503

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CDBMH1100-HF

CDBMH1100-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123T

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
SBLB10L30HE3/45

SBLB10L30HE3/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAR18FILM

BAR18FILM

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
GP10ME-E3/53

GP10ME-E3/53

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
GP10K-M3/73

GP10K-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
MBRF1090-E3/4W

MBRF1090-E3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4M M6G

S4M M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4M

S4M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
RL 2Z

RL 2Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
VS-ETL1506STRLHM3

VS-ETL1506STRLHM3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
S4M R7G

S4M R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAL99-7-F

BAL99-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S4M V7G

S4M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

Beschreibung: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
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