Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58BVG1S3HBAI6
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4106655TC58BVG1S3HBAI6-Bild.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$3.95
10+
$3.58
25+
$3.502
50+
$3.483
100+
$3.124
338+
$3.112
676+
$2.997
1014+
$2.85
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    TC58BVG1S3HBAI6
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TC58BVG1S3HBAI6.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serie
    Benand™
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    67-VFBGA
  • Andere Namen
    TC58BVG1S3HBAI6JDH
    TC58BVG1S3HBAI6YCL
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Zugriffszeit
    25ns

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "TC58BVG1S3HBAI6" -Einziper.
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Beschreibung: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC573002ECTTR

TC573002ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
TC57

TC57

Beschreibung: CAP ALUM 30UF 250V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC573302ECTTR

TC573302ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
TC572502ECTTR

TC572502ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58

TC58

Beschreibung: CAP ALUM 40UF 250V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.