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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58BYG1S3HBAI6

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914723

TC58BYG1S3HBAI6-Bild.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

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Spezifikation

Artikelnummer

TC58BYG1S3HBAI6
Hersteller / Marke

Kioxia America, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TC58BYG1S3HBAI6.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

25ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse

67-VFBGA (6.5x8)
Serie

Benand™
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

67-VFBGA
Andere Namen

TC58BYG1S3HBAI6JDH
TC58BYG1S3HBAI6YCL
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit

25ns

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Das Folgende sind "TC58BYG1S3HBAI6" -Einziper.

TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Beschreibung: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Beschreibung: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Beschreibung: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

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