Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58BYG2S0HBAI6

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

752395

TC58BYG2S0HBAI6-Bild.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$5.13

10+

$4.686

25+

$4.596

50+

$4.565

100+

$4.095

338+

$4.079

676+

$3.825

1014+

$3.662

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

TC58BYG2S0HBAI6
Hersteller / Marke

Kioxia America, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TC58BYG2S0HBAI6.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

25ns
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse

67-VFBGA (6.5x8)
Serie

Benand™
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

67-VFBGA
Andere Namen

TC58BYG2S0HBAI6JDH
TC58BYG2S0HBAI6YCL
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit

25ns

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "TC58BYG2S0HBAI6" -Einziper.

TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Beschreibung: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Beschreibung: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Beschreibung: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.