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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58BVG1S3HTA00
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2408624TC58BVG1S3HTA00-Bild.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTA00

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TC58BVG1S3HTA00
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP I
  • Serie
    Benand™
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    TC58BVG1S3HTA00B4H
    TC58BVG1S3HTA00YCJ
    TC58BVG1S3HTA00YCL
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Zugriffszeit
    25ns
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC573002ECTTR

TC573002ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Beschreibung: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC573302ECTTR

TC573302ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC572502ECTTR

TC572502ECTTR

Beschreibung: IC LNR REG CTRLR 1OUT SOT23-5

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58

TC58

Beschreibung: CAP ALUM 40UF 250V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Beschreibung: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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