Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > 1SS423(TE85L,F)
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
35233641SS423(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

1SS423(TE85L,F)

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS423(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS423(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    620mV @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    40V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSM
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    1SS423 (TE85L,F)
    1SS423(TE85LF)TR
    1SS423TE85LF
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    125°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Series Connection
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 40V 100mA Surface Mount SC-75, SOT-416
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 40V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    100mA

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1SS423(TE85L,F)" -Einziper.
1SS400SMT2R

1SS400SMT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS413,L3M

1SS413,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400T1G

1SS400T1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS400TE61

1SS400TE61

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2

Hersteller: Rohm Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS404,H3F

1SS404,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS412(TE85L,F)

1SS412(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400GT2R

1SS400GT2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS427,L3M

1SS427,L3M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS405,H3F

1SS405,H3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS401(TE85L,F)

1SS401(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS413CT,L3F

1SS413CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 50MA SOD882

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS417,L3M

1SS417,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS402TE85LF

1SS402TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS416CT,L3F

1SS416CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS403,H3F

1SS403,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS417CT,L3F

1SS417CT,L3F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS400T5G

1SS400T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS424(TPL3,F)

1SS424(TPL3,F)

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS416,L3M

1SS416,L3M

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.